BUK9K35-60E,115 MOSFET BUK9K35-60E/SOT1205/LFPAK56D
♠ Descrizzione di u produttu
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
Produttore: | Nexperia |
Categoria di produttu: | MOSFET |
RoHS: | Dettagli |
Tecnulugia: | Si |
Stile di muntatura: | SMD/SMT |
Pacchettu / Casu: | LFPAK-56D-8 |
Polarità di transistor: | Canale N |
Numero di canali: | 2 Canali |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Id - Corrente di Drain Continuu: | 22 A |
Rds On - Resistenza di Drain-Source: | 32 mOhms |
Vgs - Tensione Gate-Source: | - 10 V, + 10 V |
Vgs th - Tensione Soglia di Porta-Source: | 1,4 V |
Qg - Carica di porta: | 7,8 nC |
Température minimale de fonctionnement : | - 55 C |
Temperature Maximum Operating: | + 175 C |
Pd - Dissipazione di putenza: | 38 W |
Modu di canali: | Enhancement |
Qualificazione: | AEC-Q101 |
Imballaggio: | Reel |
Imballaggio: | Tape Tape |
Imballaggio: | MouseReel |
Marca: | Nexperia |
Cunfigurazione: | Dual |
Tempu di caduta: | 10,6 ns |
Tipu di pruduttu: | MOSFET |
Tempu di risalita: | 11,3 ns |
Quantità di pacchettu di fabbrica: | 1500 |
Subcategoria: | MOSFET |
Tipu di transistor: | 2 N-Channel |
Tempu tipicu di ritardu di spegnimentu: | 14,9 ns |
Tempu tipicu di ritardu di accensione: | 7,1 ns |
Parte # Alias: | 934066977115 |
Pesu unità: | 0,003958 oz |
♠ BUK9K35-60E MOSFET dual N-channel 60 V, 35 mΩ à niveau logique
MOSFET N-channel di livellu logicu duale in un pacchettu LFPAK56D (Dual Power-SO8) chì utilizeghja a tecnulugia TrenchMOS.Stu pruduttu hè statu cuncepitu è qualificatu à u standard AEC Q101 per l'usu in applicazioni automobilistiche d'altu rendiment.
• Dual MOSFET
• Q101 Conforme
• Ripetitiva avalanche valutatu
• Adatta per ambienti esigenti termicamente per via di a classificazione di 175 °C
• Vera porta di livellu logicu cù una valutazione VGS(th) di più di 0,5 V à 175 °C
• Sistemi 12 V Automotive
• Motors, lampade è cuntrollu di solenoid
• cuntrollu di trasmissione
• Ultra high performance power switching