FDC6303N MOSFET SSOT-6 N-CH 25V

Descrizione breve:

Produttori: ON Semiconductor

Categoria di produttu: Transistor - FET, MOSFET - Arrays

Scheda dati:FDC6303N

Descrizzione: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6

Status RoHS: Conforme à RoHS


Detail di u produttu

Tags di u produttu

♠ Descrizzione di u produttu

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Produttore: onsemi
Categoria di produttu: MOSFET
RoHS: Dettagli
Tecnulugia: Si
Stile di muntatura: SMD/SMT
Pacchettu / Casu: SSOT-6
Polarità di transistor: Canale N
Numero di canali: 2 Canali
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 25 V
Id - Corrente di Drain Continuu: 680 mA
Rds On - Resistenza di Drain-Source: 450 mOhms
Vgs - Tensione Gate-Source: - 8 V, + 8 V
Vgs th - Tensione Soglia di Porta-Source: 650 mV
Qg - Carica di porta: 2,3 nC
Température minimale de fonctionnement : - 55 C
Temperature Maximum Operating: + 150 C
Pd - Dissipazione di putenza: 900 mW
Modu di canali: Enhancement
Imballaggio: Reel
Imballaggio: Tape Tape
Imballaggio: MouseReel
Marca: onsemi / Fairchild
Cunfigurazione: Dual
Tempu di caduta: 8,5 ns
Transconduttanza in avanti - Min: 0,145 S
Altezza: 1,1 mm
Lunghezza: 2,9 mm
Pruduttu: Petit signal MOSFET
Tipu di pruduttu: MOSFET
Tempu di risalita: 8,5 ns
Serie: FDC6303N
Quantità di pacchettu di fabbrica: 3000
Subcategoria: MOSFET
Tipu di transistor: 2 N-Channel
Tipu: FET
Tempu tipicu di ritardu di spegnimentu: 17 ns
Tempu tipicu di ritardu di accensione: 3 ns
larghezza: 1,6 mm
Parte # Alias: FDC6303N_NL
Pesu unità: 0,001270 oz

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