FDV301N MOSFET N-Ch Digital
♠ Descrizzione di u produttu
| Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
| Produttore: | onsemi |
| Categoria di produttu: | MOSFET |
| RoHS: | Dettagli |
| Tecnulugia: | Si |
| Stile di muntatura: | SMD/SMT |
| Pacchettu / Casu: | SOT-23-3 |
| Polarità di transistor: | Canale N |
| Numero di canali: | 1 Canale |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Id - Corrente di Drain Continuu: | 220 mA |
| Rds On - Resistenza di Drain-Source: | 5 Ohms |
| Vgs - Tensione Gate-Source: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - Tensione Soglia di Porta-Source: | 700 mV |
| Qg - Carica di porta: | 700 pc |
| Température minimale de fonctionnement : | - 55 C |
| Temperature Maximum Operating: | + 150 C |
| Pd - Dissipazione di putenza: | 350 mW |
| Modu di canali: | Enhancement |
| Imballaggio: | Reel |
| Imballaggio: | Tape Tape |
| Imballaggio: | MouseReel |
| Marca: | onsemi / Fairchild |
| Cunfigurazione: | Single |
| Tempu di caduta: | 6 ns |
| Transconduttanza in avanti - Min: | 0,2 S |
| Altezza: | 1,2 mm |
| Lunghezza: | 2,9 mm |
| Pruduttu: | Petit signal MOSFET |
| Tipu di pruduttu: | MOSFET |
| Tempu di risalita: | 6 ns |
| Serie: | FDV301N |
| Quantità di pacchettu di fabbrica: | 3000 |
| Subcategoria: | MOSFET |
| Tipu di transistor: | 1 Canale N |
| Tipu: | FET |
| Tempu tipicu di ritardu di spegnimentu: | 3,5 ns |
| Tempu tipicu di ritardu di accensione: | 3,2 ns |
| larghezza: | 1,3 mm |
| Parte # Alias: | FDV301N_NL |
| Pesu unità: | 0,000282 oz |
♠ FET digitale, N-Channel FDV301N, FDV301N-F169
Stu transistor d'effettu di campu in modalità di rializazione di u livellu logicu N-Channel hè pruduttu utilizendu a tecnulugia DMOS proprietaria di onsemi, à alta densità di cellule.Stu prucessu di densità assai alta hè sopratuttu adattatu per minimizzà a resistenza di u statu.Stu dispusitivu hè statu cuncepitu soprattuttu per l'applicazioni di bassa tensione cum'è un sustitutu di transistor digitale.Siccomu i resistori di polarizazione ùn sò micca richiesti, questu un FET di N-canale pò rimpiazzà parechji transistori digitali diffirenti, cù valori di resistenza di bias differenti.
• 25 V, 0,22 A Cuntinuu, 0,5 A Peak
♦ RDS(on) = 5 @ VGS = 2,7 V
♦ RDS(on) = 4 @ VGS = 4,5 V
• Very Low Level Gate Drive Requirements Permettenu Operazione Diretta in Circuits 3 V.VGS(th) < 1,06 V
• Gate−Source Zener per ESD Ruggedness.> 6 kV Mudellu di u corpu umanu
• Sustituisce Multiple NPN Digital Transistors with One DMOS FET
• Stu Dispositivu hè Pb-Free è Halide Free
