Modu di Migliurazione di u FET N-Ch LL MOSFET NDS331N
♠ Descrizzione di u pruduttu
Attributu di u pruduttu | Valore di l'attributu |
Fabbricante: | inseme |
Categoria di u pruduttu: | MOSFET |
Tecnulugia: | Si |
Stile di muntatura: | SMD/SMT |
Pacchettu / Custodia: | SOT-23-3 |
Polarità di u transistor: | Canale N |
Numeru di canali: | 1 Canale |
Vds - Tensione di rottura di drenaggio-fonte: | 20 V |
Id - Corrente di drenaggiu cuntinuu: | 1,3 A |
Rds On - Resistenza di a fonte di drenaggiu: | 210 mOhm |
Vgs - Tensione Gate-Source: | - 8 V, + 8 V |
Vgs th - Tensione di soglia di a fonte di porta: | 500 mV |
Qg - Carica di a Porta: | 5 nC |
Temperatura minima di funziunamentu: | - 55°C |
Temperatura massima di funziunamentu: | + 150°C |
Pd - Dissipazione di putenza: | 500 mW |
Modu di Canale: | Migliuramentu |
Imballaggio: | Bobina |
Imballaggio: | Tagliate u nastro |
Imballaggio: | MouseReel |
Marca: | inseme / Fairchild |
Cunfigurazione: | Solu |
Tempu di vaghjimu: | 25 ns |
Altezza: | 1,12 mm |
Lunghezza: | 2,9 mm |
Prodottu: | MOSFET Picculu Segnale |
Tipu di pruduttu: | MOSFET |
Tempu di salita: | 25 ns |
Serie: | NDS331N |
Quantità di pacchettu di fabbrica: | 3000 |
Sottucateguria: | MOSFET |
Tipu di transistor: | 1 Canale N |
Tipu: | MOSFET |
Tempu di ritardu tipicu di spegnimentu: | 10 ns |
Tempu di ritardu tipicu di accensione: | 5 ns |
Larghezza: | 1,4 mm |
Alias di parte #: | NDS331N_NL |
Pesu unitariu: | 0,001129 once |
♠ Transistor à effettu di campu in modu di miglioramentu di u livellu logicu di u canale N
Questi transistor à effettu di campu di putenza in modu di miglioramentu di u livellu logicu à canale N sò prudutti cù a tecnulugia DMOS proprietaria di ON Semiconductor, à alta densità di cellule. Stu prucessu à densità assai alta hè specificamente adattatu per minimizà a resistenza à u statu di cuntinimentu. Questi dispositivi sò particularmente adatti per applicazioni à bassa tensione in computer notebook, telefoni portatili, carte PCMCIA è altri circuiti alimentati da batteria induve sò necessarie una commutazione rapida è una bassa perdita di putenza in linea in un pacchettu di montaggio superficiale di contorno assai chjucu.
• 1,3 A, 20 V
♦ RDS(accesu) = 0,21 @ VGS = 2,7 V
♦ RDS(accesu) = 0,16 @ VGS = 4,5 V
• Schema di u Standard di l'Industria SOT-23 Pacchettu di Montaggio Superficiale Utilizendu
Cuncepimentu SUPERSOT-3 pruprietariu per capacità termiche è elettriche superiori
• Cuncepimentu di Cellule à Alta Densità per un RDS Estremamente Bassu (attivatu)
• Resistenza eccezziunale à l'attivazione è capacità massima di corrente continua
• Questu hè un dispusitivu senza piombu