NDS331N MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode
♠ Descrizzione di u produttu
| Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
| Produttore: | onsemi |
| Categoria di produttu: | MOSFET |
| Tecnulugia: | Si |
| Stile di muntatura: | SMD/SMT |
| Pacchettu / Casu: | SOT-23-3 |
| Polarità di transistor: | Canale N |
| Numero di canali: | 1 Canale |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Id - Corrente di Drain Continuu: | 1.3 A |
| Rds On - Resistenza di Drain-Source: | 210 mOhms |
| Vgs - Tensione Gate-Source: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - Tensione Soglia di Porta-Source: | 500 mV |
| Qg - Carica di porta: | 5 nC |
| Température minimale de fonctionnement : | - 55 C |
| Temperature Maximum Operating: | + 150 C |
| Pd - Dissipazione di putenza: | 500 mW |
| Modu di canali: | Enhancement |
| Imballaggio: | Reel |
| Imballaggio: | Tape Tape |
| Imballaggio: | MouseReel |
| Marca: | onsemi / Fairchild |
| Cunfigurazione: | Single |
| Tempu di caduta: | 25 ns |
| Altezza: | 1,12 mm |
| Lunghezza: | 2,9 mm |
| Pruduttu: | Petit signal MOSFET |
| Tipu di pruduttu: | MOSFET |
| Tempu di risalita: | 25 ns |
| Serie: | NDS331N |
| Quantità di pacchettu di fabbrica: | 3000 |
| Subcategoria: | MOSFET |
| Tipu di transistor: | 1 Canale N |
| Tipu: | MOSFET |
| Tempu tipicu di ritardu di spegnimentu: | 10 ns |
| Tempu tipicu di ritardu di accensione: | 5 ns |
| larghezza: | 1,4 mm |
| Parte # Alias: | NDS331N_NL |
| Pesu unità: | 0,001129 oz |
♠ Transistor d'effettu di campu in Modu di Miglioramentu di Livellu Logica N-Channel
Questi transistori di effettu di campu di potenza in modalità di incrementu di u livellu logicu N-Channel sò pruduciuti cù a tecnulugia DMOS proprietaria di ON Semiconductor, à alta densità di cellule.Stu prucessu di densità assai alta hè sopratuttu adattatu per minimizzà a resistenza di u statu.Sti dispusitivi sò particularmente adattati per l'applicazioni di bassa tensione in l'ordinateur notebook, i telefoni portatili, e carte PCMCIA, è altri circuiti alimentati da a batteria induve u cambiamentu rapidu è a perdita di putenza in-line sò necessarii in un pacchettu assai chjucu di superficia.
• 1,3 A, 20 V
♦ RDS(on) = 0,21 @ VGS = 2,7 V
♦ RDS(on) = 0,16 @ VGS = 4,5 V
• Industry Standard Outline SOT−23 Surface Mount Package Using
Pruprietà SUPERSOT−3 Design per capacità termali è elettriche superiori
• Disegnu di cellule à alta densità per RDS estremamente bassu (on)
• On-Resistance eccezziunale è Capacità massima di corrente DC
• Questu hè un Dispositivu Pb-Free
