NTMFS4C029NT1G MOSFET TRENCH 6 30V NCH
♠ Descrizzione di u pruduttu
Attributu di u pruduttu | Valore di l'attributu |
Fabbricante: | inseme |
Categoria di u pruduttu: | MOSFET |
RoHS: | Dettagli |
Tecnulugia: | Si |
Stile di muntatura: | SMD/SMT |
Pacchettu / Custodia: | SO-8FL-4 |
Polarità di u transistor: | Canale N |
Numeru di canali: | 1 Canale |
Vds - Tensione di rottura di drenaggio-fonte: | 30 V |
Id - Corrente di drenaggiu cuntinuu: | 46 A |
Rds On - Resistenza di a fonte di drenaggiu: | 4,9 mOhm |
Vgs - Tensione Gate-Source: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Tensione di soglia di a fonte di porta: | 2,2 V |
Qg - Carica di a Porta: | 18,6 nC |
Temperatura minima di funziunamentu: | - 55°C |
Temperatura massima di funziunamentu: | + 150°C |
Pd - Dissipazione di putenza: | 23,6 O |
Modu di Canale: | Migliuramentu |
Imballaggio: | Bobina |
Imballaggio: | Tagliate u nastro |
Imballaggio: | MouseReel |
Marca: | inseme |
Cunfigurazione: | Solu |
Tempu di vaghjimu: | 7 ns |
Transconduttanza in avanti - Min: | 43 S |
Tipu di pruduttu: | MOSFET |
Tempu di salita: | 34 ns |
Serie: | NTMFS4C029N |
Quantità di pacchettu di fabbrica: | 1500 |
Sottucateguria: | MOSFET |
Tipu di transistor: | 1 Canale N |
Tempu di ritardu tipicu di spegnimentu: | 14 ns |
Tempu di ritardu tipicu di accensione: | 9 ns |
Pesu unitariu: | 0,026455 once |
• RDS bassu (attivatu) per minimizà e perdite di conduzione
• Bassa capacità per minimizà e perdite di driver
• Carica di Porta Ottimizzata per Minimizà e Perdite di Commutazione
• Sti dispusitivi sò senza piombu, senza alogeni/senza BFR è sò conformi à RoHS
• Fornitura di putenza di a CPU
• Convertitori CC-CC