Driver di porta SIC621CD-T1-GE3 60A VRPwr 2 MHz Modu PS4 5V PWM
♠ Descrizzione di u pruduttu
| Attributu di u pruduttu | Valore di l'attributu |
| Fabbricante: | Vishay |
| Categoria di u pruduttu: | Cunduttori di cancelli |
| RoHS: | Dettagli |
| Prodottu: | Driver di porta MOSFET |
| Tipu: | Latu altu, Latu bassu |
| Stile di muntatura: | SMD/SMT |
| Pacchettu / Custodia: | MLP55-31 |
| Numeru di cunduttori: | 1 Cunduttore |
| Numeru di uscite: | 1 Surtita |
| Corrente di uscita: | 60 A |
| Tensione di alimentazione - Min: | 4,5 V |
| Tensione di alimentazione - Max: | 18 V |
| Cunfigurazione: | Non-Invertente |
| Tempu di salita: | 35 ns |
| Tempu di vaghjimu: | 10 ns |
| Temperatura minima di funziunamentu: | - 55°C |
| Temperatura massima di funziunamentu: | + 150°C |
| Serie: | SIC621 |
| Imballaggio: | Bobina |
| Imballaggio: | Tagliate u nastro |
| Imballaggio: | MouseReel |
| Marca: | Vishay Semiconductors |
| Pd - Dissipazione di putenza: | 1,6 W |
| Tipu di pruduttu: | Cunduttori di cancelli |
| Rds On - Resistenza di a fonte di drenaggiu: | 110 mOhm |
| Quantità di pacchettu di fabbrica: | 3000 |
| Sottucateguria: | PMIC - Circuiti integrati di gestione di l'alimentazione |
| Tecnulugia: | Si |
| Nome cummerciale: | DrMOS VRPower |
| Pesu unitariu: | 0,000423 once |
♠ Stadiu di putenza integratu VRPower® 60 A
U SiC621 hè una suluzione integrata di stadiu di putenza ottimizzata per applicazioni buck sincrone per offre prestazioni di corrente elevata, alta efficienza è alta densità di putenza. Imballatu in u pacchettu MLP proprietariu di 5 mm x 5 mm di Vishay, SiC621 permette à i disinni di regulatori di tensione di furnisce finu à 60 A di corrente cuntinua per fase.
I MOSFET di putenza interni utilizanu a tecnulugia TrenchFET Gen IV di Vishay, di punta, chì furnisce prestazioni di riferimentu di l'industria per riduce significativamente e perdite di commutazione è di conduzione.
U SiC621 incorpora un circuitu integratu di driver di gate MOSFET avanzatu chì presenta una capacità di pilotaggio di corrente elevata, un cuntrollu di tempu mortu adattivu, un diodu Schottky bootstrap integratu è un rilevamentu di corrente zero per migliurà l'efficienza di u caricu leggeru. U driver hè ancu cumpatibile cù una vasta gamma di controller PWM, supporta PWM tri-state è a logica PWM 5 V.
Una funzione di modu d'emulazione di diodi selezziunabile da l'utente (ZCD_EN#) hè inclusa per migliurà e prestazioni di carica ligera. U dispusitivu supporta ancu u modu PS4 per riduce u cunsumu energeticu quandu u sistema funziona in statu di standby.
• Pacchettu PowerPAK® MLP55-31L termicamente rinfurzatu
• Tecnulugia MOSFET Gen IV di Vishay è un MOSFET low-side cù diodu Schottky integratu
• Fornisce finu à 60 A di corrente cuntinua
• Prestazione d'alta efficienza
• Funziunamentu à alta frequenza finu à 2 MHz
• MOSFET di putenza ottimizzati per u stadiu d'entrata di 12 V
• Logica PWM 5 V cù tri-state è hold-off
• Supporta u requisitu di carica ligera di a modalità PS4 per IMVP8 cù una bassa corrente di alimentazione di spegnimentu (5 V, 5 μA)
• Bloccu di sottutensione per VCIN
• VRD multifase per l'informatica, a carta grafica è a memoria
• Cunsegna Intel IMVP-8 VRPower - piattaforme VCORE, VGRAPHICS, VSYSTEM AGENT Skylake, Kabylake - VCCGI per e piattaforme Apollo Lake
• Moduli VR DC/DC cù entrata ferroviaria finu à 18 V
