SUD50P10-43L-E3 MOSFET 100V 37A 136W 43mohm 10V

Descrizione breve:

Produttori: Vishay / Siliconix

Category Product: Transistor - FET, MOSFET - Single

Scheda dati:SUD50P10-43L-E3

Descrizzione: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252

Status RoHS: Conforme à RoHS


Detail di u produttu

Features

Tags di u produttu

♠ Descrizzione di u produttu

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Produttore: Vishay
Categoria di produttu: MOSFET
RoHS: Dettagli
Tecnulugia: Si
Stile di muntatura: SMD/SMT
Pacchettu / Casu: TO-252-3
Polarità di transistor: Canale P
Numero di canali: 1 Canale
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V
Id - Corrente di Drain Continuu: 37,1 A
Rds On - Resistenza di Drain-Source: 43 mOhms
Vgs - Tensione Gate-Source: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensione Soglia di Porta-Source: 1 V
Qg - Carica di porta: 106 nC
Température minimale de fonctionnement : - 55 C
Temperature Maximum Operating: + 175 C
Pd - Dissipazione di putenza: 136 W
Modu di canali: Enhancement
Nome commerciale: TrenchFET
Imballaggio: Reel
Imballaggio: Tape Tape
Imballaggio: MouseReel
Marca: Vishay Semiconductors
Cunfigurazione: Single
Tempu di caduta: 100 ns
Transconduttanza in avanti - Min: 38 S
Altezza: 2,38 mm
Lunghezza: 6,73 mm
Tipu di pruduttu: MOSFET
Tempu di risalita: 20 ns, 160 ns
Serie: SUD
Quantità di pacchettu di fabbrica: 2000
Subcategoria: MOSFET
Tipu di transistor: 1 P-Channel
Tempu tipicu di ritardu di spegnimentu: 100 ns, 110 ns
Tempu tipicu di ritardu di accensione: 15 ns, 42 ns
larghezza: 6,22 mm
Parte # Alias: SUD50P10-43L-BE3
Pesu unità: 0,011640 oz

 


  • Previous:
  • Next:

  • • TrenchFET® Power MOSFET

    • Conforme à a Direttiva RoHS 2002/95/EC

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