VNS1NV04DPTR-E Piloti di porta OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A
♠ Descrizzione di u produttu
| Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
| Produttore: | STMicroelectronics |
| Categoria di produttu: | Driver di porta |
| Pruduttu: | Drivers MOSFET Gate |
| Tipu: | Low-Side |
| Stile di muntatura: | SMD/SMT |
| Pacchettu / Casu: | SOIC-8 |
| Numero di Drivers: | 2 Driver |
| Numaru di uscite: | 2 Output |
| Corrente di uscita: | 1,7 A |
| Tensione di alimentazione - Max: | 24 V |
| Tempu di risalita: | 500 ns |
| Tempu di caduta: | 600 ns |
| Température minimale de fonctionnement : | - 40 C |
| Temperature Maximum Operating: | + 150 C |
| Serie: | VNS1NV04DP-E |
| Qualificazione: | AEC-Q100 |
| Imballaggio: | Reel |
| Imballaggio: | Tape Tape |
| Imballaggio: | MouseReel |
| Marca: | STMicroelectronics |
| Sensibili à l'umidità: | Iè |
| Corrente di fornitura operativa: | 150 UA |
| Tipu di pruduttu: | Driver di porta |
| Quantità di pacchettu di fabbrica: | 2500 |
| Subcategoria: | PMIC - IC di gestione di l'energia |
| Tecnulugia: | Si |
| Pesu unità: | 0,005291 oz |
♠ OMNIFET II Power MOSFET completamente autoprotettu
U VNS1NV04DP-E hè un dispositivu furmatu da dui chips OMNIFET II monolitichi allughjati in un pacchettu standard SO-8.L'OMNIFET II sò cuncepiti in a tecnulugia STMicroelectronics VIPower™ M0-3: sò destinati à a sostituzione di MOSFET di potenza standard da applicazioni DC finu à 50KHz.Custruitu in spegnimentu termale, limitazione di corrente lineare è pinza di sovratensione prutegge u chip in ambienti duri.
U feedback di difettu pò esse rilevatu monitorendu a tensione à u pin di input.
• Limitazione di corrente lineale
• Spegnimentu termale
• Prutezzione di short circuit
• Pinza integrata
• Bassu currenti trattu da pin input
• Diagnostic feedback attraversu pin input
• Prutezzione ESD
• Accessu direttu à a porta di u mosfet di putenza (guida analogica)
• Compatible cù mosfet putenza standard
• In cunfurmità cù a direttiva europea 2002/95/EC
