VNS3NV04DPTR-E Gate Drivers OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V
♠ Descrizzione di u produttu
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
Produttore: | STMicroelectronics |
Categoria di produttu: | Driver di porta |
RoHS: | Dettagli |
Pruduttu: | Drivers MOSFET Gate |
Tipu: | Low-Side |
Stile di muntatura: | SMD/SMT |
Pacchettu / Casu: | SOIC-8 |
Numero di Drivers: | 2 Driver |
Numaru di uscite: | 2 Output |
Corrente di uscita: | 5 A |
Tensione di alimentazione - Max: | 24 V |
Tempu di risalita: | 250 ns |
Tempu di caduta: | 250 ns |
Température minimale de fonctionnement : | - 40 C |
Temperature Maximum Operating: | + 150 C |
Serie: | VNS3NV04DP-E |
Qualificazione: | AEC-Q100 |
Imballaggio: | Reel |
Imballaggio: | Tape Tape |
Imballaggio: | MouseReel |
Marca: | STMicroelectronics |
Sensibili à l'umidità: | Iè |
Corrente di fornitura operativa: | 100 uA |
Tipu di pruduttu: | Driver di porta |
Quantità di pacchettu di fabbrica: | 2500 |
Subcategoria: | PMIC - IC di gestione di l'energia |
Tecnulugia: | Si |
Pesu unità: | 0,005291 oz |
♠ OMNIFET II Power MOSFET completamente autoprotettu
U dispusitivu VNS3NV04DP-E hè custituitu da dui chips monolitichi (OMNIFET II) allughjati in un pacchettu standard SO-8.L'OMNIFET II hè cuncepitu cù a tecnulugia STMicroelectronics™ VIPower™ M0-3 è hè destinatu à a sostituzione di MOSFET di potenza standard in applicazioni DC finu à 50 kHz.
L'arrestu termicu integratu, a limitazione di corrente lineare è a pinza di sovratensione prutegge u chip in ambienti duri.
U feedback di difettu pò esse rilevatu da u surviglianza di a tensione à u pin di input
■ ECOPACK®: senza piombo è conforme RoHS
■ Automotive Grade: rispettu di e linee AEC
■ Limitazione di corrente lineale
■ Spegnimentu termale
■ Prutezzione di short circuit
■ Pinza integrata
■ Low currenti tiratu da pin input
■ Feedback di diagnosticu attraversu pin di input
■ Prutezzione ESD
■ Accessu direttu à a porta di u Power MOSFET (guida analogica)
■ Compatible cù MOSFET Power standard