BSC030N08NS5ATMA1 MOSFET N-Ch 80V 100A
♠ Descrizzione di u produttu
| Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
| Produttore: | Infineon |
| Categoria di produttu: | MOSFET |
| RoHS: | Dettagli |
| Tecnulugia: | Si |
| Stile di muntatura: | SMD/SMT |
| Pacchettu / Casu: | TDSON-8 |
| Polarità di transistor: | Canale N |
| Numero di canali: | 1 Canale |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Id - Corrente di Drain Continuu: | 100 A |
| Rds On - Resistenza di Drain-Source: | 4,5 mOhms |
| Vgs - Tensione Gate-Source: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensione Soglia di Porta-Source: | 2,2 V |
| Qg - Carica di porta: | 61 nC |
| Température minimale de fonctionnement : | - 55 C |
| Temperature Maximum Operating: | + 150 C |
| Pd - Dissipazione di putenza: | 139 W |
| Modu di canali: | Enhancement |
| Nome commerciale: | OptiMOS |
| Imballaggio: | Reel |
| Imballaggio: | Tape Tape |
| Imballaggio: | MouseReel |
| Marca: | Infineon Technologies |
| Cunfigurazione: | Single |
| Tempu di caduta: | 13 ns |
| Transconduttanza in avanti - Min: | 55 S |
| Altezza: | 1,27 mm |
| Lunghezza: | 5,9 mm |
| Tipu di pruduttu: | MOSFET |
| Tempu di risalita: | 12 ns |
| Serie: | OptiMOS 5 |
| Quantità di pacchettu di fabbrica: | 5000 |
| Subcategoria: | MOSFET |
| Tipu di transistor: | 1 Canale N |
| Tempu tipicu di ritardu di spegnimentu: | 43 ns |
| Tempu tipicu di ritardu di accensione: | 20 ns |
| larghezza: | 5,15 mm |
| Parte # Alias: | BSC030N08NS5 SP001077098 |
| Pesu unità: | 0,017870 oz |
• Ottimizatu per SMPS d'alta prestazione, egsync.rec.
• 100% avalanche pruvatu
•Resistenza termale superiore
• N-canale
•Qualified secondu JEDEC1) per applicazioni di destinazione
• Placcatura di piombo senza Pb; Conforme à RoHS
•Halogen-free secondu IEC61249-2-21
