CSD88537ND MOSFET 60-V Dual N-Channel Power MOSFET
♠ Descrizzione di u produttu
| Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
| Produttore: | Texas Instruments |
| Categoria di produttu: | MOSFET |
| RoHS: | Dettagli |
| Tecnulugia: | Si |
| Stile di muntatura: | SMD/SMT |
| Pacchettu / Casu: | SOIC-8 |
| Polarità di transistor: | Canale N |
| Numero di canali: | 2 Canali |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Id - Corrente di Drain Continuu: | 16 A |
| Rds On - Resistenza di Drain-Source: | 15 mOhms |
| Vgs - Tensione Gate-Source: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensione Soglia di Porta-Source: | 2,6 V |
| Qg - Carica di porta: | 14 nC |
| Température minimale de fonctionnement : | - 55 C |
| Temperature Maximum Operating: | + 150 C |
| Pd - Dissipazione di putenza: | 2,1 W |
| Modu di canali: | Enhancement |
| Nome commerciale: | NextFET |
| Imballaggio: | Reel |
| Imballaggio: | Tape Tape |
| Imballaggio: | MouseReel |
| Marca: | Texas Instruments |
| Cunfigurazione: | Dual |
| Tempu di caduta: | 19 ns |
| Altezza: | 1,75 mm |
| Lunghezza: | 4,9 mm |
| Tipu di pruduttu: | MOSFET |
| Tempu di risalita: | 15 ns |
| Serie: | CSD88537ND |
| Quantità di pacchettu di fabbrica: | 2500 |
| Subcategoria: | MOSFET |
| Tipu di transistor: | 2 N-Channel |
| Tempu tipicu di ritardu di spegnimentu: | 5 ns |
| Tempu tipicu di ritardu di accensione: | 6 ns |
| larghezza: | 3,9 mm |
| Pesu unità: | 74 mg |
♠ CSD88537ND Doppiu MOSFET di potenza NexFET™ N-Channel 60-V
Stu MOSFET di potenza duale SO-8, 60 V, 12,5 mΩ NexFET ™ hè cuncepitu per serve cum'è mezzu ponte in applicazioni di cuntrollu di mutore à bassa corrente.
• Ultra-Low Qg è Qgd
• Avalanche Rated
• Pb Free
• Conforme à RoHS
• Halogen Free
• Half Bridge for Motor Control
• Synchronous Buck Convertitore
