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NSS60201LT1G Transistor Bipolari – BJT 60V NPN BASSA VCE(SAT) XTR

NSS60201LT1G Transistor Bipolari - BJT 60V NPN BASSA VCE (SAT) XTR Immagine in Evidenza
  • NSS60201LT1G Transistor Bipolari – BJT 60V NPN BASSA VCE(SAT) XTR

Descrizzione breve:

Produttori: ON Semiconductor
Categoria di u produttu: Transistor - Bipolari (BJT) - Single
Scheda di dati:NSS60201LT1G
Descrizzione: TRANS NPN 60V 2A SOT-23
Statutu RoHS: Conforme à RoHS


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Dettagli di u produttu

Funziunalità

Applicazione

Etichette di u produttu

♠ Descrizzione di u pruduttu

Attributu di u pruduttu Valore di l'attributu
Fabbricante: inseme
Categoria di u pruduttu: Transistori Bipolari - BJT
Stile di muntatura: SMD/SMT
Pacchettu / Custodia: SOT-23-3
Polarità di u transistor: NPN
Cunfigurazione: Solu
Tensione cullettore-emettitore VCEO Max: 60 V
Tensione di cullettore-base VCBO: 140 V
Tensione di basa di l'emettitore VEBO: 8 V
Tensione di saturazione cullettore-emettitore: 140 mV
Corrente massima di u cullettore DC: 2 A
Pd - Dissipazione di putenza: 540 mW
Prodottu di larghezza di banda di guadagnu fT: 100 MHz
Temperatura minima di funziunamentu: - 55°C
Temperatura massima di funziunamentu: + 150°C
Serie: NSS60201LT1G
Imballaggio: Bobina
Imballaggio: Tagliate u nastro
Imballaggio: MouseReel
Marca: inseme
Guadagnu di cullettore/base CC hfe Min: 160
Altezza: 0,94 mm
Lunghezza: 2,9 mm
Tipu di pruduttu: BJT - Transistor Bipolari
Quantità di pacchettu di fabbrica: 3000
Sottucateguria: Transistori
Tecnulugia: Si
Larghezza: 1,3 mm
Pesu unitariu: 0,000282 once

 

♠ Transistor à bassa VCE (sat), NPN, 60 V, 4,0 A

A famiglia di transistor low VCE(sat) e 2PowerEdge di ON Semiconductor sò dispositivi miniaturizzati à montaggio superficiale chì presentanu una tensione di saturazione ultra bassa (VCE(sat)) è una capacità di guadagnu di corrente elevata. Quessi sò cuncepiti per l'usu in applicazioni di commutazione à bassa tensione è alta velocità induve hè impurtante un cuntrollu energeticu efficiente è accessibile.

L'applicazioni tipiche sò i convertitori DC-DC è a gestione di l'alimentazione in prudutti portatili è alimentati da batteria cum'è telefoni cellulari è senza filu, PDA, computer, stampanti, fotocamere digitali è lettori MP3. Altre applicazioni sò i cuntrolli di motori à bassa tensione in prudutti di almacenamiento di massa cum'è unità di discu è unità di nastro. In l'industria automobilistica ponu esse aduprati in u spiegamentu di l'airbag è in u quadru di strumenti. L'altu guadagnu di corrente permette à i dispositivi e2PowerEdge di essepilotati direttamente da l'uscite di cuntrollu di PMU, è u Guadagnu Lineare (Beta) li rende cumpunenti ideali in amplificatori analogichi.

• Prefissu NSV per l'applicazioni automobilistiche è altre chì richiedenu requisiti unichi di situ è ​​di cambiamentu di cuntrollu; Qualificatu AEC−Q101 è capace di PPAP

• Sti dispusitivi sò senza piombu, senza alogeni/senza BFR è sò conformi à RoHS


  • Precedente: AD8602DRMZ-REEL Amplificatori di precisione CMOS DUAL, PRECISION RAIL-RAIL OP AMP LO
  • Dopu: AT91SAM7X256C-AU Microcontrollori ARM – MCU LQFP GRN IND TMP MRL C

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