NTK3043NT1G MOSFET NFET 20V 285mA TR
♠ Descrizzione di u produttu
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
Produttore: | onsemi |
Categoria di produttu: | MOSFET |
RoHS: | Dettagli |
Tecnulugia: | Si |
Stile di muntatura: | SMD/SMT |
Pacchettu / Casu: | SOT-723-3 |
Polarità di transistor: | Canale N |
Numero di canali: | 1 Canale |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
Id - Corrente di Drain Continuu: | 255 mA |
Rds On - Resistenza di Drain-Source: | 3,4 ohms |
Vgs - Tensione Gate-Source: | - 10 V, + 10 V |
Vgs th - Tensione Soglia di Porta-Source: | 400 mV |
Qg - Carica di porta: | - |
Température minimale de fonctionnement : | - 55 C |
Temperature Maximum Operating: | + 150 C |
Pd - Dissipazione di putenza: | 440 mW |
Modu di canali: | Enhancement |
Imballaggio: | Reel |
Imballaggio: | Tape Tape |
Imballaggio: | MouseReel |
Marca: | onsemi |
Cunfigurazione: | Single |
Tempu di caduta: | 15 ns |
Transconduttanza in avanti - Min: | 0,275 S |
Altezza: | 0,5 mm |
Lunghezza: | 1,2 mm |
Pruduttu: | Petit signal MOSFET |
Tipu di pruduttu: | MOSFET |
Tempu di risalita: | 15 ns |
Serie: | NTK3043N |
Quantità di pacchettu di fabbrica: | 4000 |
Subcategoria: | MOSFET |
Tipu di transistor: | 1 Canale N |
Tipu: | MOSFET |
Tempu tipicu di ritardu di spegnimentu: | 94 ns |
Tempu tipicu di ritardu di accensione: | 13 ns |
larghezza: | 0,8 mm |
Pesu unità: | 0,000045 oz |
• Permette High Density PCB Manufacturing
• Impronta 44% più chjucu cà SC−89 è 38% più sottile cà SC−89
• Drive Low Voltage rende stu Dispositivu Ideale per Equipment Portable
• Livelli Low Threshold, VGS (TH) < 1,3 V
• Profilu bassu (< 0,5 mm) Permette di adattà facilmente in ambienti estremamente sottili, cum'è l'elettronica portatile.
• Operatu à u Livellu Logicu Standard Gate Drive, facilitendu a Migrazione Futura à Livelli Inferiori Utilizendu a Stessa Topulugia di Base
• Quessi sò i dispusitivi Pb-Free è Halogen-Free
• Interfacing, Switching
• High Speed Switching
• Cellulari, PDA