NTMFS4C028NT1G MOSFET TRENCH 6 30V NCH
♠ Descrizzione di u produttu
| Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
| Produttore: | onsemi |
| Categoria di produttu: | MOSFET |
| RoHS: | Dettagli |
| Tecnulugia: | Si |
| Stile di muntatura: | SMD/SMT |
| Pacchettu / Casu: | SO-8FL-4 |
| Polarità di transistor: | Canale N |
| Numero di canali: | 1 Canale |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Id - Corrente di Drain Continuu: | 52 A |
| Rds On - Resistenza di Drain-Source: | 4,73 mOhms |
| Vgs - Tensione Gate-Source: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensione Soglia di Porta-Source: | 2,2 V |
| Qg - Carica di porta: | 22,2 nC |
| Température minimale de fonctionnement : | - 55 C |
| Temperature Maximum Operating: | + 150 C |
| Pd - Dissipazione di putenza: | 6 W |
| Modu di canali: | Enhancement |
| Imballaggio: | Reel |
| Imballaggio: | Tape Tape |
| Imballaggio: | MouseReel |
| Marca: | onsemi |
| Cunfigurazione: | Single |
| Tipu di pruduttu: | MOSFET |
| Serie: | NTMFS4C028N |
| Quantità di pacchettu di fabbrica: | 1500 |
| Subcategoria: | MOSFET |
| Pesu unità: | 0,026455 oz |
• Low RDS (on) per Minimize Conduction Losses
• Low Capacitance à Minimize Driver Losses
• Optimized Gate Charge à Minimize Switching Losses
• Questi Dispositivi sò Pb-Free, Halogen Free / BFR Free è sò RoHS Compliant
• CPU Power Delivery
• Convertitori DC−DC
