AUIRFN8459TR MOSFET 40V Dual N Channel HEXFET
♠ Descrizzione di u produttu
| Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
| Produttore: | Infineon |
| Categoria di produttu: | MOSFET |
| RoHS: | Dettagli |
| Tecnulugia: | Si |
| Stile di muntatura: | SMD/SMT |
| Pacchettu / Casu: | PQFN-8 |
| Polarità di transistor: | Canale N |
| Numero di canali: | 2 Canali |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Id - Corrente di Drain Continuu: | 70 A |
| Rds On - Resistenza di Drain-Source: | 5,9 mOhms |
| Vgs - Tensione Gate-Source: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensione Soglia di Porta-Source: | 3 V |
| Qg - Carica di porta: | 40 nC |
| Température minimale de fonctionnement : | - 55 C |
| Temperature Maximum Operating: | + 175 C |
| Pd - Dissipazione di putenza: | 50 W |
| Modu di canali: | Enhancement |
| Qualificazione: | AEC-Q101 |
| Imballaggio: | Reel |
| Imballaggio: | Tape Tape |
| Imballaggio: | MouseReel |
| Marca: | Infineon Technologies |
| Cunfigurazione: | Dual |
| Tempu di caduta: | 42 ns |
| Transconduttanza in avanti - Min: | 66 S |
| Altezza: | 1,2 mm |
| Lunghezza: | 6 mm |
| Tipu di pruduttu: | MOSFET |
| Tempu di risalita: | 55 ns |
| Quantità di pacchettu di fabbrica: | 4000 |
| Subcategoria: | MOSFET |
| Tipu di transistor: | 2 N-Channel |
| Tempu tipicu di ritardu di spegnimentu: | 25 ns |
| Tempu tipicu di ritardu di accensione: | 10 ns |
| larghezza: | 5 mm |
| Parte # Alias: | AUIRFN8459TR SP001517406 |
| Pesu unità: | 0,004308 oz |
♠ MOSFET 40V Dual N Channel HEXFET
Specificamente cuncepitu per l'applicazioni automobilistiche, stu HEXFET® Power MOSFET utilizza l'ultime tecniche di trasfurmazioni per ottene una resistenza estremamente bassa per zona di silicio.Funzioni supplementari di stu disignu sò una temperatura di funziunamentu di junction di 175 ° C, una velocità di swithcing veloce è una valutazione di avalanche ripetitiva mejorata.Queste caratteristiche combinanu per fà stu pruduttu un dispositivu estremamente efficiente è affidabile per l'usu in l'Automotive è una larga varietà di altre applicazioni.
Tecnulugia di prucessu avanzata
MOSFET Dual N-Channel
Ultra Low On-Resistance
Temperature d'opération 175°C
Cambiamentu veloce
Avalanche Repetitive Allowed up to Tjmax
Senza piombo, Conforme RoHS
Qualificata per l'automobile *
Sistemi automobilistici 12V
Motor DC brushed
Frenu
Trasmissione
