BSS123 MOSFET SOT-23 N-CH LOGIC
♠ Descrizzione di u produttu
| Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
| Produttore: | onsemi |
| Categoria di produttu: | MOSFET |
| Tecnulugia: | Si |
| Stile di muntatura: | SMD/SMT |
| Pacchettu / Casu: | SOT-23-3 |
| Polarità di transistor: | Canale N |
| Numero di canali: | 1 Canale |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Id - Corrente di Drain Continuu: | 170 mA |
| Rds On - Resistenza di Drain-Source: | 6 Ohms |
| Vgs - Tensione Gate-Source: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensione Soglia di Porta-Source: | 800 mV |
| Qg - Carica di porta: | 2,5 nC |
| Température minimale de fonctionnement : | - 55 C |
| Temperature Maximum Operating: | + 150 C |
| Pd - Dissipazione di putenza: | 300 mW |
| Modu di canali: | Enhancement |
| Imballaggio: | Reel |
| Imballaggio: | Tape Tape |
| Imballaggio: | MouseReel |
| Marca: | onsemi / Fairchild |
| Cunfigurazione: | Single |
| Tempu di caduta: | 9 ns |
| Transconduttanza in avanti - Min: | 0,8 S |
| Altezza: | 1,2 mm |
| Lunghezza: | 2,9 mm |
| Pruduttu: | Petit signal MOSFET |
| Tipu di pruduttu: | MOSFET |
| Tempu di risalita: | 9 ns |
| Serie: | BSS123 |
| Quantità di pacchettu di fabbrica: | 3000 |
| Subcategoria: | MOSFET |
| Tipu di transistor: | 1 Canale N |
| Tipu: | FET |
| Tempu tipicu di ritardu di spegnimentu: | 17 ns |
| Tempu tipicu di ritardu di accensione: | 1,7 ns |
| larghezza: | 1,3 mm |
| Parte # Alias: | BSS123_NL |
| Pesu unità: | 0,000282 oz |
♠ Transistor d'effettu di campu in Modu di Miglioramentu di Livellu Logica N-Channel
Questi transistori di effettu di campu in modalità N-Channel sò pruduciuti utilizendu a tecnulugia DMOS di proprietà di onsemi, alta densità di cellule.Questi prudutti sò stati pensati per minimizzà a resistenza di u statu mentre furnisce un rendimentu di cambiamentu robustu, affidabile è veloce.Questi prudutti sò particularmente adattati per l'applicazioni di bassa tensione, bassa corrente, cum'è u cuntrollu di u servomotore chjucu, i driver di porta MOSFET di putenza, è altre applicazioni di commutazione.
• 0,17 A, 100 V
♦ RDS(on) = 6 @ VGS = 10 V
♦ RDS(on) = 10 @ VGS = 4,5 V
• Disegnu di cellule à alta densità per RDS estremamente bassu (on)
• Rugged è Reliable
• Compact Industry Standard SOT−23 Surface Mount Package
• Stu Dispositivu hè Pb-Free è Halogen Free
