SQM50034EL_GE3 MOSFET N-CHANNEL 60-V (DS) 175C MOSFET
♠ Descrizzione di u produttu
| Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
| Produttore: | Vishay |
| Categoria di produttu: | MOSFET |
| RoHS: | Dettagli |
| Tecnulugia: | Si |
| Stile di muntatura: | SMD/SMT |
| Pacchettu / Casu: | TO-263-3 |
| Polarità di transistor: | Canale N |
| Numero di canali: | 1 Canale |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Id - Corrente di Drain Continuu: | 100 A |
| Rds On - Resistenza di Drain-Source: | 3,2 mOhms |
| Vgs - Tensione Gate-Source: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensione Soglia di Porta-Source: | 2 V |
| Qg - Carica di porta: | 60 nC |
| Température minimale de fonctionnement : | - 55 C |
| Temperature Maximum Operating: | + 175 C |
| Pd - Dissipazione di putenza: | 150 W |
| Modu di canali: | Enhancement |
| Nome commerciale: | TrenchFET |
| Marca: | Vishay / Siliconix |
| Cunfigurazione: | Single |
| Tempu di caduta: | 7 ns |
| Tipu di pruduttu: | MOSFET |
| Tempu di risalita: | 7 ns |
| Serie: | SQ |
| Quantità di pacchettu di fabbrica: | 800 |
| Subcategoria: | MOSFET |
| Tempu tipicu di ritardu di spegnimentu: | 33 ns |
| Tempu tipicu di ritardu di accensione: | 15 ns |
| Pesu unità: | 0,139332 oz |
• TrenchFET® power MOSFET
• Pacchettu cù bassa resistenza termale
• 100 % Rg è UIS pruvati
• AEC-Q101 qualificata
