SI1029X-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P COPPIA
♠ Descrizzione di u pruduttu
| Attributu di u pruduttu | Valore di l'attributu |
| Fabbricante: | Vishay |
| Categoria di u pruduttu: | MOSFET |
| RoHS: | Dettagli |
| Tecnulugia: | Si |
| Stile di muntatura: | SMD/SMT |
| Pacchettu/Casa: | SC-89-6 |
| Polarità di u transistor: | Canale N, Canale P |
| Numeru di canali: | 2 Canali |
| Vds - Tensione di rottura di drenaggio-fonte: | 60 V |
| Id - Corrente di drenaggiu cuntinuu: | 500 mA |
| Rds On - Resistenza di a fonte di drenaggiu: | 1,4 Ohm, 4 Ohm |
| Vgs - Tensione Gate-Source: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensione di soglia di a fonte di porta: | 1 V |
| Qg - Carica di a Porta: | 750 pC, 1,7 nC |
| Temperatura minima di funziunamentu: | - 55°C |
| Temperatura massima di funziunamentu: | + 150°C |
| Pd - Dissipazione di putenza: | 280 mW |
| Modu di Canale: | Migliuramentu |
| Nome cummerciale: | TrenchFET |
| Imballaggio: | Bobina |
| Imballaggio: | Tagliate u nastro |
| Imballaggio: | MouseReel |
| Marca: | Vishay Semiconductors |
| Cunfigurazione: | Duale |
| Transconduttanza in avanti - Min: | 200 mS, 100 mS |
| Altezza: | 0,6 mm |
| Lunghezza: | 1,66 mm |
| Tipu di pruduttu: | MOSFET |
| Serie: | SI1 |
| Quantità di pacchettu di fabbrica: | 3000 |
| Sottucateguria: | MOSFET |
| Tipu di transistor: | 1 Canale N, 1 Canale P |
| Tempu di ritardu tipicu di spegnimentu: | 20 ns, 35 ns |
| Tempu di ritardu tipicu di accensione: | 15 ns, 20 ns |
| Larghezza: | 1,2 mm |
| Alias di parte #: | SI1029X-GE3 |
| Pesu unitariu: | 32 mg |
• Senza alogeni Sicondu a definizione IEC 61249-2-21
• MOSFET di putenza TrenchFET®
• Impronta assai chjuca
• Commutazione di u latu altu
• Bassa resistenza à l'attivazione:
Canale N, 1,40 Ω
Canale P, 4 Ω
• Soglia bassa: ± 2 V (tip.)
• Velocità di cummutazione rapida: 15 ns (tip.)
• Prutettu da ESD Gate-Source: 2000 V
• Cunforme à a direttiva RoHS 2002/95/CE
• Rimpiazzà u Transistor Digitale, Level-Shifter
• Sistemi à batteria
• Circuiti di cunvertitore di alimentazione
