SI1029X-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P COPPIA
♠ Descrizzione di u produttu
| Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
| Produttore: | Vishay |
| Categoria di produttu: | MOSFET |
| RoHS: | Dettagli |
| Tecnulugia: | Si |
| Stile di muntatura: | SMD/SMT |
| Pacchettu / Casu: | SC-89-6 |
| Polarità di transistor: | N-Channel, P-Channel |
| Numero di canali: | 2 Canali |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Id - Corrente di Drain Continuu: | 500 mA |
| Rds On - Resistenza di Drain-Source: | 1.4 Ohms, 4 Ohms |
| Vgs - Tensione Gate-Source: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensione Soglia di Porta-Source: | 1 V |
| Qg - Carica di porta: | 750 pC, 1,7 nC |
| Température minimale de fonctionnement : | - 55 C |
| Temperature Maximum Operating: | + 150 C |
| Pd - Dissipazione di putenza: | 280 mW |
| Modu di canali: | Enhancement |
| Nome commerciale: | TrenchFET |
| Imballaggio: | Reel |
| Imballaggio: | Tape Tape |
| Imballaggio: | MouseReel |
| Marca: | Vishay Semiconductors |
| Cunfigurazione: | Dual |
| Transconduttanza in avanti - Min: | 200 mS, 100 mS |
| Altezza: | 0,6 mm |
| Lunghezza: | 1,66 mm |
| Tipu di pruduttu: | MOSFET |
| Serie: | SI1 |
| Quantità di pacchettu di fabbrica: | 3000 |
| Subcategoria: | MOSFET |
| Tipu di transistor: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Tempu tipicu di ritardu di spegnimentu: | 20 ns, 35 ns |
| Tempu tipicu di ritardu di accensione: | 15 ns, 20 ns |
| larghezza: | 1,2 mm |
| Parte # Alias: | SI1029X-GE3 |
| Pesu unità: | 32 mg |
• Halogen-free Sicondu IEC 61249-2-21 Definizione
• TrenchFET® Power MOSFET
• Impronta assai Piccula
• High-Side Switching
• Low On-Resistance:
Canale N, 1,40 Ω
Canale P, 4 Ω
• Low Threshold: ± 2 V (typ.)
• Velocità di cunversione veloce: 15 ns (typ.)
• Gate-Source ESD Prutettu: 2000 V
• Conforme à a Direttiva RoHS 2002/95/EC
• Replace Digital Transistor, Level-Shifter
• Sistemi Operated Battery
• Power Supply Converter Circuits
