SI7119DN-T1-GE3 MOSFET -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
♠ Descrizzione di u produttu
| Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
| Produttore: | Vishay |
| Categoria di produttu: | MOSFET |
| RoHS: | Dettagli |
| Tecnulugia: | Si |
| Stile di muntatura: | SMD/SMT |
| Pacchettu / Casu: | PowerPAK-1212-8 |
| Polarità di transistor: | Canale P |
| Numero di canali: | 1 Canale |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Id - Corrente di Drain Continuu: | 3,8 A |
| Rds On - Resistenza di Drain-Source: | 1,05 ohms |
| Vgs - Tensione Gate-Source: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensione Soglia di Porta-Source: | 2 V |
| Qg - Carica di porta: | 25 nC |
| Température minimale de fonctionnement : | - 50 C |
| Temperature Maximum Operating: | + 150 C |
| Pd - Dissipazione di putenza: | 52 W |
| Modu di canali: | Enhancement |
| Nome commerciale: | TrenchFET |
| Imballaggio: | Reel |
| Imballaggio: | Tape Tape |
| Imballaggio: | MouseReel |
| Marca: | Vishay Semiconductors |
| Cunfigurazione: | Single |
| Tempu di caduta: | 12 ns |
| Transconduttanza in avanti - Min: | 4 S |
| Altezza: | 1,04 mm |
| Lunghezza: | 3,3 mm |
| Tipu di pruduttu: | MOSFET |
| Tempu di risalita: | 11 ns |
| Serie: | SI7 |
| Quantità di pacchettu di fabbrica: | 3000 |
| Subcategoria: | MOSFET |
| Tipu di transistor: | 1 P-Channel |
| Tempu tipicu di ritardu di spegnimentu: | 27 ns |
| Tempu tipicu di ritardu di accensione: | 9 ns |
| larghezza: | 3,3 mm |
| Parte # Alias: | SI7119DN-GE3 |
| Pesu unità: | 1 g |
• Halogen-free Sicondu IEC 61249-2-21 Disponibile
• TrenchFET® Power MOSFET
• Low Resistance Thermal PowerPAK® Package cù Small Size è Low Profile 1,07 mm
• 100% UIS è Rg Tested
• Clamp Active in Intermediate DC / DC Power Supplies
